ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ СВОЙСТВ ФУЛЛЕРЕНОВ С БОЛЬШИМ ЗАРЯДОМ. СИСТЕМЫ КОРОТКОЖИВУЩИХ ПРОСТРАНСТВЕННО ЛОКАЛИЗОВАННЫХ УРОВНЕЙ

Препринт № IBRAE-2018-08 

УДК 530.145.83 

Арутюнян Р.В. 

В рамках простой физической модели исследуются электронные свойства заряженных фуллеренов и луковичных структур. Показано существование системы дискретных короткоживущих квантовых уровней для электронов в модельной сферической кулоновской потенциальной яме. В случае положительно заряженных фуллеренов энергия объемно-локализованных электронных уровней находится в диапазоне от 1 эВ до 100 эВ. Электроны, захваченные на указанные дискретные локализованные в объеме уровни, создают своеобразный наноатом, в котором электроны или μ-мезоны локализуются внутри заряженной полой сферы фуллерена, играющего роль ядра в атоме. В случае отрицательно заряженных однослойных или луковичных фуллеренов кулоновское поле создает сферическую потенциальную яму для положительно заряженных частиц (протонов, ядер дейтерия, трития). При этом возникает система дискретных уровней для положительно заряженных частиц, в которой протоны играют роль электронов, а отрицательная заряженная оболочка фуллерена — роль ядра. 

Библиографическая справка

Р.В. Арутюнян. Теоретическое исследование электронных свойств фуллеренов с большим зарядом. Системы короткоживущих пространственно локализованных уровней / Препринт № IBRAE-2018-08. — М.: ИБРАЭ РАН, 2018. — 12 с. Библиогр. 44 назв. — 62 экз. 

© ИБРАЭ РАН, 2018