СИСТЕМЫ ОБЪЕМНО-ЛОКАЛИЗОВАННЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ КВАНТОВЫХ УРОВНЕЙ ЗАРЯЖЕННЫХ ФУЛЛЕРЕНОВ

Препринт № IBRAE-2018-12 

УДК 530.145.83 

Арутюнян Р.В., Осадчий А.В. 

Теоретически и численно показано на примере фуллеренов C60 и C20 наличие системы короткоживущих дискретных объемно-локализованных квантовых уровней электронов в положительно заряженных фуллеренах. В отличие от хорошо изученных экспериментально и теоретически электронных состояний, локализованных в тонком поверхностном слое, эти электронные состояния обусловлены плоской частью кулоновского потенциала положительно заряженной фуллереновой сферы. Энергетическая ширина системы таких дискретных объемно локализованных уровней зависит от заряда и увеличивается при его увеличении. Для С60+1 энергетическая ширина составляет 0,32 а.ед. и увеличивается до 1,9 а.ед. у фуллерена C60+10. Таким образом, электроны, захваченные на этих дискретных уровнях фуллерена, образуют своего рода короткоживущий «наноатом» или «наноион», в котором электроны локализованы внутри положительно заряженного сферического «ядра».  

Библиографическая справка

Р.В. Арутюнян, А.В. Осадчий. Системы объемно-локализованных электронных квантовых уровней заряженных фуллеренов / Препринт № IBRAE-2018-12. Москва: ИБРАЭ РАН, 2018. — 13 с. — Библиогр.: 20 назв. — 42 экз.